Galyum Nitrür (GaN) ve Alüminyum Nitrür (AlN) Malzemelerin Fonon Ortalama Serbest Yol – Isıl İletkenlik İlişkileri

Galyum nitrür (GaN) ve alüminyum nitrür (AlN) gibi III-Nitrür grubuna ait yarıiletken malzemeler geniş bant özellikleri nedeniyle çok çeşitli elektronik ve optoelektronik uygulamalarda tercih edilirler. Bu uygulamaların çoğunda aygıt tarafından üretilen ısı, aygıt içi sıcaklıklarının artmasına neden olur. Yüksek sıcaklıkların aygıt dayanıklılığına etki edeceği ve bozulmalara sebep olacağı bilinmekte olduğundan aygıt tarafından üretilen ısı hızlı bir şekilde uzaklaştırılmalıdır. Aygıt yapısında bulunan ince filmlerde, çok dar yapılarda ve aygıt çalışma fiziğinden kaynaklanan nano boyutta ısı üretimi görülen alanlarda ısı iletimi, boyut etkilerinden (ing. size effects) etkilerinden ötürü yavaşlamaktadır.